近日，大数据学院肖政国老师与外校苏州科技大学合作的论文“Broadband optical nonlinearity and all-optical switching features in low-defect GaN”发表于SCI期刊《Optics Express》。氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的前沿代表，被认为是一种在非线性光学领域中具备很大应用潜力的半导体材料。在本工作中，研究了低缺陷型GaN的宽带非线性光学响应以及评估其在全光转换器件方面的应用潜力。在泵浦探测实验中，发现光学转换时间可以达到飞秒脉冲量级280fs，相应的调制速度达3THz，而且其调制幅度可以通过变化泵浦光与探测光的偏振方向达到60%。通过建立光物理模型，阐述了低缺陷型GaN在可见区域和近红外区域的非线性光学吸收机理，提取出宽波段下的光物理参数，这些工作为未来超快光电与集成非线性光学器件的设计与应用提供了理论与实验基础。本工作获得贵州省教育厅科技创新团队项目资助（项目号：黔教技 ([2023]094)），肖政国博士是团队项目负责人，外校方宇博士是项目核心骨干成员之一，在本工作中，肖政国博士完成了低缺陷型GaN在可见波段非线性光学吸收的来源机制分析以及利用实验数据完成相应光物理参数的提取。
《Optics Express》主要刊登光学方面具有较高理论创新的成果，目前中国科学院分区为2区，最新影响因子3.669。肖政国博士长期从事半导体光电器件设计与应用方面的研究，目前在《Journal of Materials Chemistry C》《Applied Physics Letters》《Optics Express》《Optical Materials》等期刊上发表SCI收录论文二十余篇。
(图文/罗开武 一审/姚娟 二审/黄贻望 三审/毛志）
